在GaP中掺杂N原子可以形成等电子陷阱。（)

A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触

B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构

B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料(势阱)的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料(势垒)的厚度较大，称这种结构为超晶格结构

C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构

D.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构

A、n

B、n，l

C、n，l，m

D、l

A.细胞

B.原子

C.电子

D.质子

【题目描述】

第 2 题元素周期表是学习化学的重要工具。下面是元素周期表中1~18号元素原子核外电子排

布，我们对它进行研究：

⑴ 第16号元素属于_______元素(填“金属”或“非金属”)，它在化学反应中容易________(填“得”或“失”)电子；

⑵ 元素的化学性质与原子结构中的______________数关系密切；

⑶ 在同一族中，各元素的原子结构呈现的规律有________________ （任写一点）；

⑷ 研究表明：第二周期从3~9号元素的原子电子层数相同，核电荷数逐渐增大，核对核外电子的引力逐渐增大，故原子半径逐渐减小。我分析第三周期从11~17号元素原子半径变化规律是 _________________________________。

【我提交的答案】：非金属 得 最外层电子数

【参考答案分析】：

⑴ 非金属 ；得 ；

⑵ 最外层电子 ；

⑶ 电子层数递增或最外层电子数相等或从上到下核电荷数增大等（只要合理均可）⑷ 逐渐减小

【我的疑问】（如下，请求专家帮助解答）

在同一族中，各元素的原子结构呈现的规律有________________ （任写一点）；

⑷ 研究表明：第二周期从3~9号元素的原子电子层数相同，核电荷数逐渐增大，核对核外电子的引力逐渐增大，故原子半径逐渐减小。我分析第三周期从11~17号元素原子半径变化规律是 _________________________________。

A.在一个原子中，不可能存在四个量子数完全相同的两个电子

B.轨道最多只能容纳两个电子，而且这两个电子的自旋方式必须相反

C.电子层的最大容量:2n^2(n的平方的2倍)

D.亚层的最大容量:4+1

A.原子失去电子，化合价升为+l

B.原子在此反应中为还原剂

C.原子在反应中得到电子，为氧化剂

D.此反应中化合价变化，电子没有转移

A.可以无纸化保存

B.可以将电子病历打印后与非电子化的资料合并形成病案保存

C.可以继续使用纸质病历，但不可以单独保存

D.不可以继续使用和保存纸质病历

E.可以继续使用、保存纸质病历

A、原子中一个电子的运动状态需要用四个量子数描述

B、电子在简并轨道上排布时尽可能分占不同的轨道，且自旋方向相同

C、在同一原子中，不可能有两个电子具有相同的四个量子数

D、在s能级中均有两个自旋方向相反的电子存在