pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（)。

A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：

(1)该管是耗尽型还是增强型？

(2)是N沟道还是P沟道FET？

(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压V_P还是开启电压V？其值等于多少？

A.反向特性

B.导通特性

C.截止特性

D.单向导电性

A.0.5V

B.0.1V

C.0.3V

D.0.7V

A.减少分布中心与公差中心的偏离

B.扩大控制界限范围

C.提高过程能力

D.缩小加工特性值的分散程度

A.与他人串通，利用资金优势、持券优势进行连续虚假交易，以影响交易价格或者交易量，属于市场操纵行为

B.以自身实际控制的账户为交易对手进行对倒交易，以影响交易价格或者交易量，属于市场操纵行为

C.市场参与者及交易相关人员不得通过价格操纵、交易量操纵等方式影响相关资产的价格水平，妨碍市场正常交易秩序，获取不正当利益

D.债券交易价格应该严格按照当日估值进行，不能有任何偏离

n(2πX10³t)(V)。(1)试求输出电压振幅。(2)画出T3，T4管集电极电压波形和T₁，T₂管发射极电流波形。(3)若T₂管损坏(断开)，试求输出电压值，并分析原因。

V)。